Especificações Técnicas
| Tipo do Transistor | MOSFET Canal N |
|---|---|
| Corrente Máxima de Dreno (Id) | 200mA |
| Tensão Máxima Dreno-Porta (Vdss) | 30V |
| Resistência Dreno-Porta RDSon(max) | 8mΩ |
| Tensão Limiar Vt(max) | 1V |
| Dissipação Máxima (Pd) | 100mW |
Detalhes do Produto
Os transistores de efeito de campo (FET) são bastante utilizados para o chaveamento de cargas, uma vez que são capazes de fornecerem grandes correntes de saída (corrente no dreno D e fonte S) com uma baixíssima corrente de entrada (na porta G).
O 3SK263 é um MOSFET de canal N, que suporta até 15V entre o o dreno e a fonte, e uma corrente máxima de 30mA, além disso ele possui duas portas.
Documentação
| Corrente máxima de dreno (Id) do MOSFET | 30mA |
|---|---|
| Vds do MOSFET | 15V |
| Encapsulamento | SOT-143 |
| Dissipação máxima | 200mW |
