Especificações Técnicas
| Tipo do Transistor | MOSFET Canal N |
|---|---|
| Corrente Máxima de Dreno (Id) | 53A |
| Tensão Máxima Dreno-Porta (Vdss) | 200V |
| Resistência Dreno-Porta RDSon(max) | 22mΩ |
| Tensão Limiar Vt(max) | 4V |
Detalhes do Produto
Os transistores de efeito de campo (FET) são bastante utilizados para o chaveamento de cargas, uma vez que são capazes de fornecerem grandes correntes de saída (corrente no dreno D e fonte S) com uma baixíssima corrente de entrada (na porta G).
O IRFB4227 é um MOSFET de canal N, que suporta até 200V entre os porta e fonte, e uma corrente máxima de 65A.
Documentação
