Especificações Técnicas
| Tipo do Transistor | MOSFET Canal N |
|---|---|
| Corrente Máxima de Dreno (Id) | 10A |
| Tensão Máxima Dreno-Porta (Vdss) | 650V |
| Resistência Dreno-Porta RDSon(max) | 580mΩ |
| Tensão Limiar Vt(max) | 3V |
Detalhes do Produto
Os transistores de efeito de campo (FET) são bastante utilizados para o chaveamento de cargas, uma vez que são capazes de fornecerem grandes correntes de saída (corrente no dreno D e fonte S) com uma baixíssima corrente de entrada (na porta G).
O TSP10N60M é um MOSFET de canal N, que suporta uma tensão entre o dreno e fonte de 650V, e uma corrente de 12A.
Documentação
